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PJQ4548VP-AU_R2_002A1

N-CH 40V 40A 10,4mOhm DFN3333-8L N° d'article: STDMOS1597 Boitier: DFN3333-8L Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	12.7mOhm
Q(g)	9nC	P(tot)	30W

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IPZ40N04S53R1ATMA1

N-CH 40V 40A 3,1mOhm TDSON-8 N° d'article: TMOSP11646 Boitier: TDSON-8 Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	3.1mOhm
Q(g)	31nC	P(tot)	71W

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

N-CH 40V 40A 2,8mOhm TDSON-8 N° d'article: TMOSP11645 Boitier: TDSON-8 Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	2.8mOhm
Q(g)	39nC	P(tot)	71W

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

N-CH 40V 40A 7,4mOhm TDSON-8 N° d'article: TMOS1541 Boitier: TSDSON-8 Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	7.4mOhm
Q(g)	17nC	P(tot)	34W

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BSZ097N04LSGATMA1

N-CH 40V 40A 10mOhm S3O8 N° d'article: TMOSP8698 Boitier: TSDSON-8 Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	9.7mOhm
Q(g)	11.4nC	P(tot)	35W

Article préférentiel

SIR418DP-T1-GE3

N-CH 40V 40A 5mOhm PPAK SO-8 N° d'article: TMOS2638 Boitier: PPAK SO-8 Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	5mOhm
Q(g)	24nC	P(tot)	39W

Article préférentiel

IPD100N04S402ATMA1

MOSFET 40V 2.0mOHM AECQ TO252 N° d'article: TMOSP10304 Boitier: DPAK Packaging: REEL

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	100A	RDS(on)at 10V	2mOhm
Q(g)	118nC	P(tot)	150W

Article préférentiel

IPD90N04S402ATMA1

MOSFET 40V 2.4mOHM AECQ TO252 N° d'article: TMOSP10305 Boitier: DPAK Packaging: REEL

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0.7244

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2500

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	90A	RDS(on)at 10V	2.4mOhm
Q(g)	118nC	P(tot)	150W

IPLU300N04S4R8XTMA1

N-CH 40V 300A 0,77mOHm PSOF-8 N° d'article: TMOSP11456 Boitier: PSOF-8 Packaging: REEL

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2.35

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2000

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	300A	RDS(on)at 10V	0.77mOhm
Q(g)	221nC	P(tot)	429W

BSZ028N04LSATMA1

N-CH 40V 40A 2,8mOhm TSDSON-8FL N° d'article: TMOS1726 Boitier: TSDSON-8FL Packaging: REEL

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0.46

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5000

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Configuration	N-CH	V(DS)	40V
I(D)at Tc=25°C	40A	RDS(on)at 10V	2.8mOhm
Q(g)	32nC	P(tot)	63W

IPB180N04S400ATMA1

MOSFET 40V 1mOhm AECQ TO263 N° d'article: TMOSP10096 Boitier: TO-263-7 Packaging: REEL

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I(D)at Tc=25°C	180A	RDS(on)at 10V	1mOhm
Q(g)	286nC	P(tot)	300W