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BGA7L1N6E6327XTSA1

INFINEON SP001109134

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Description: SiGe Low noise amplifier LTE Fabricant: INFINEON Désignation Produit: BGA7L1N6 E6327 Rutronik No.: THF5266 Unité d'emballage: 15000 MOQ: 15000 Boitier: TSNP-6-2 Packaging: REEL
Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Automotive
NO
Package
TSNP-6-2
RoHS Status
RoHS-conform
Packaging
REEL
Référence fabricant
SP001109134
ECCN
EAR99
Numéro du tarif douanier
85423390000
Pays
Malaysia
Délai de livraison standard
100 Semaines

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE

Summary of Features:

  • Insertion power gain: 13.3 dB
  • Low noise figure: 0.90 dB
  • Low current consumption: 4.4 mA
  • Operating frequencies: 728 - 960 MHz
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
  • Pb-free (RoHS compliant) package

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