IGB50N65H5ATMA1

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Description: IGBT 650V 50A 1.65V TO263-3 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: IGB50N65H5 Rutronik No.: IGBT2473 Unité d'emballage: 1000 MOQ: 1000 Boitier: TO263-3 Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

V(CE): 650 V
I(C): 80 A
V(CEsat): 1.65 V
Package: TO263-3
Bodydiode: NO
P(tot): 270 W
Automotive: NO
t(r): 31 nS
td(off): 173 nS
td(on): 23 nS
Mounting: SMD
RoHS Status: RoHS-conform
Technology: TRENCHST.5
Packaging: REEL

Référence fabricant: SP001509614
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: A
Délai de livraison standard: 21 Semaines

Description

Description:

Summary of Features

650 V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s High Speed 3 family
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat
Co-packed with Infineon’s new Rapid Si-diode technology
Low COES/EOSS
Mild positive temperature coefficient VCEsat
Temperature stability of Vf

Benefits

Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Higher power density design

Target Applications

battery-charger |delimiter|

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