IGB50N65S5ATMA1

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Description: IGBT 650V 50A 1.35V TO263-3 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: IGB50N65S5 Rutronik No.: IGBT2472 Unité d'emballage: 1000 MOQ: 1000 Boitier: TO263-3 Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

V(CE): 650 V
I(C): 80 A
V(CEsat): 1.35 V
Package: TO263-3
Bodydiode: NO
P(tot): 270 W
Automotive: NO
t(r): 30 nS
td(off): 139 nS
td(on): 20 nS
Mounting: SMD
RoHS Status: RoHS-conform
Technology: TRENCHST.5
Packaging: REEL

Référence fabricant: SP001502566
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: A
Délai de livraison standard: 21 Semaines

Description

Description:

Summary of Features

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C, 20% lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
I C(n)=four times nominal current (100°C Tc)
Soft current fall characteristics with no tail current
Symmetrical, low voltage overshoot
Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
Maximum junction temperature Tvj=175°C
Qualified according to JEDEC standards

Benefits

VCE(peak) clamping circuits not required
Suitable for use with single turn-on / turn-off gate resistor
No need for gate clamping components
Gate drivers with Miller clamping not required
Reduction in the EMI filtering needed
Excellent for paralleling

Target Applications

battery-charger |delimiter|

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