IKW50N65ES5XKSA1
Article TOP Ventes
L'image affichée est une représentation non contractuelle
Description:
IGBT 650V 50A 1.35V TO247-3
Fabricant:
INFINEON
Désignation Produit:
IKW50N65ES5
Rutronik No.:
IGBT1980
Unité d'emballage:
30
MOQ:
30
Boitier:
TO247-3
Packaging:
TUBE
Trouver des alternatives
Datasheet / Notice
Ajouté à projet
Echantillon
Datasheet / Notice
Ajouté à projet
Echantillon
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- V(CE)
- 650 V
- I(C)
- 50 A
- V(CEsat)
- 1,35 V
- Package
- TO247-3
- Bodydiode
- YES
- P(tot)
- 274 W
- Automotive
- NO
- t(r)
- 9 nS
- td(off)
- 141 nS
- td(on)
- 18 nS
- Mounting
- THT
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Technology
- HighSpeed
- Packaging
- TUBE
- Référence fabricant
- SP001319682
- ECCN
- EAR99
- Numéro du tarif douanier
- 85412900000
- Pays
- China
- Annuaire ABC
- A
- Délai de livraison standard
- 21 Semaines
The 650 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT in a TO247 package addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
Summary of Features
- Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C, 20% lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
- 4 times Ic pulse current (100°C Tc)
- Soft current fall characteristics with no tail current
- Symmetrical, low voltage overshoot
- Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
- Maximum junction temperature Tvj = 175°C
- Qualified according to JEDEC standards
Benefits
- VCEpeak clamping circuits not required
- No need for gate clamping components
- Good EMI behaviour
- Excellent for paralleling
Vous pouvez commander de manière définitive les articles du panier ou - si vous avez encore des questions - ou adresser celui-ci comme demande sans engagement.
Rutronik24 e-commerce est réservé exclusivement aux organisations et clients Corporates.
