IPB117N20NFDATMA1

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Description: N-CH 200V 84A 11,7mOhm TO263 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: IPB117N20NFD Rutronik No.: TMOSP11539 Unité d'emballage: 1000 MOQ: 1000 Boitier: D2PAK Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: N-CH
V(DS): 200 V
I(D)at Tc=25°C: 84 A
RDS(on)at 10V: 11.7 mOhm
Q(g): 65 nC
P(tot): 300 W
R(thJC): 0.5 K/W
Logic level: NO
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS FD
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Package: D2PAK
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

Référence fabricant: SP001107232
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: A
Délai de livraison standard: 18 Semaines

Description

New OptiMOS™ Fast Diode (FD), Infineon’s latest generation of power MOSFETs in 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. The new devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.

Summary of Features

Improved hard commutation ruggedness
Optimized hard switching behavior
Industry’s lowest R ds(on), Q g and Q rr
RoHS compliant - halogen free

Benefits

Highest system reliability
System cost reduction
Highest efficiency and power density
Easy-to-design products

Target Applications

Telecom
Class D audio amplifier
Motor control for 48-110V systems
Industrial power supplies
DC-AC inverter

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