SISS52DN-T1-GE3

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Description: N-CH 30V 162A 0,95mOhm PPAK1212 Fabricant: VISHAY Désignation Produit: SISS52DN-T1-GE3 Rutronik No.: TMOS6129 Unité d'emballage: 1 MOQ: 1 Boitier: PPAK1212-8 Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: N-CH
V(DS): 30 V
I(D)at Tc=25°C: 162 A
RDS(on)at 10V: 0.95 mOhm
Q(g): 43.2 nC
P(tot): 57 W
R(thJC): 1.7 K/W
Logic level: NO
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Package: PPAK1212-8
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: China
Délai de livraison standard: 22 Semaines

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