SQJ968EP-T1_GE3

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Description: Dual N-CH 60V 33,6mOhm SO-8L Fabricant: VISHAY Désignation Produit: SQJ968EP-T1_GE3 Rutronik No.: TMOS1159 Unité d'emballage: 3000 MOQ: 3000 Boitier: PPAK SO-8L Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: DUAL N-CH
V(DS): 60 V
I(D)at Tc=25°C: 23.5 A
RDS(on)at 10V: 33.6 mOhm
Q(g): 12.3 nC
P(tot): 42 W
R(thJC): 3.5 K/W
Logic level: YES
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET
Fast bodydiode: NO
Automotive: AEC-Q(101)
Package: PPAK SO-8L
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: China
Annuaire ABC: B
Délai de livraison standard: 22 Semaines

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