BSO080P03NS3GXUMA1
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Description:
P-CH -30V -12A 6,7mOhm SO-8
Fabricant:
INFINEON
Désignation Produit:
BSO080P03NS3 G
Rutronik No.:
TMOS1931
Unité d'emballage:
2500
MOQ:
2500
Boitier:
SO-8
Packaging:
REEL
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Datasheet / Notice
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Echantillon
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- Configuration
- P-CH
- V(DS)
- 30 V
- I(D)at Tc=25°C
- 12 A
- RDS(on)at 10V
- 6.7 mOhm
- Q(g)
- 61 nC
- P(tot)
- 1.6 W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS 3
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Package
- SO-8
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Packaging
- REEL
- Référence fabricant
- SP000472996
- ECCN
- EAR99
- Numéro du tarif douanier
- 85412900000
- Pays
- China
- Annuaire ABC
- B
- Délai de livraison standard
- 54 Semaines
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Summary of Features
- Enhancement mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
Target Applications
- Consumer
- DC-DC
- eMobility
- Motor control
- Notebook
- Onboard charger
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Follow-up article |
Unité d'emballage
Prix unitaire |
Stock Info | |||
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SP000613798P-CH 30V 14,9A 8mOhm SO-8 N° d'article: STDMOS1101 Boitier: SO-8 Packaging: REEL |
Prix unitaire
0,7017 $
Unité d'emballage
2500
|
Stock Info
12 Semaines
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Prix, délais de livraison Datasheet / Notice |