BSZ086P03NS3GATMA1
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Description:
P-CH 30V 40A 8.6mOhm S3O8
Fabricant:
INFINEON
Désignation Produit:
BSZ086P03NS3 G
Rutronik No.:
TMOS1749
Unité d'emballage:
5000
MOQ:
5000
Boitier:
TSDSON-8
Packaging:
REEL
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Datasheet / Notice
Ajouté à projet
Echantillon
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- Configuration
- P-CH
- V(DS)
- 30 V
- I(D)at Tc=25°C
- 40 A
- RDS(on)at 10V
- 8.6 mOhm
- Q(g)
- 43.2 nC
- P(tot)
- 69 W
- R(thJC)
- 1.8 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS P3
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Package
- TSDSON-8
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Packaging
- REEL
- Référence fabricant
- SP000473024
- ECCN
- EAR99
- Numéro du tarif douanier
- 85412900000
- Pays
- Malaysia
- Annuaire ABC
- B
- Délai de livraison standard
- 16 Semaines
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Summary of Features
- Enhancement mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
Target Applications
- Consumer
- DC-DC
- eMobility
- Motor control
- Notebook
- Onboard charger
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