BSZ180P03NS3GATMA1

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Description: P-CH 30V 39,6A 13,5mOhm S3O8 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: BSZ180P03NS3 G Rutronik No.: TMOS3535 Unité d'emballage: 5000 MOQ: 5000 Boitier: TSDSON-8 Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: P-CH
V(DS): 30 V
I(D)at Tc=25°C: 39.6 A
RDS(on)at 10V: 13.5 mOhm
Q(g): 20 nC
P(tot): 40 W
R(thJC): 3.1 K/W
Logic level: NO
Mounting: SMD
Technology: OptiMOSP3
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Package: TSDSON-8
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

Référence fabricant: SP000709744
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: B
Délai de livraison standard: 16 Semaines

Description

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Summary of Features

Enhancement mode
Normal level, logic level or super logic level
Avalanche rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant

Target Applications

Consumer
DC-DC
eMobility
Motor control
Notebook
Onboard charger

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