FS1150R08A8P3LBCHPSA1

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Description: IGBT 750V 1150A HybridPACK3 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: FS1150R08A8P3LBC Rutronik No.: POWMOD1412 Unité d'emballage: 6 MOQ: 96 Boitier: AG-HDG2XT- Packaging: TRAY

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

V(CE): 750 V
I(C): 1150 A
td(on): 222 ns
td(off): 929 ns
P(tot): 1000 W
t(r): 50 ns
V(CEsat): 1.08 V
Bodydiode: YES
Mounting: PRESSFIT
Automotive: AECQ100-D
Package: AG-HDG2XT-
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: TRAY

Référence fabricant: SP005724696
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Germany
Délai de livraison standard: 54 Semaines

Description

The power module implements Infineon’s next generation chip technology EDT3 (Si IGBT) 750V, optimized for electric drive train applications, from mid- to high-range automotive power classes.

Summary of Features

VCES = 750 V
ICN = 1150 A / ICRM = 2300 A
Blocking voltage 750 V
Low VCE,sat
Low switching losses
Low Qg and Crss
Low inductive design
4.2 kV DC 1 second insulation
High creepage and clearance distances
Direct-cooled PinFin base plate
PCB and cooler assembly guidelines
PressFIT contact technology

Benefits

Higher temperature cycling capability
Integrated diode temperature sensors
New plastic material
Better temperature capability
New frame design
Lower system BOM
Lower AC contact resistance
Lower tab temperature
PressFIT Contact Technology
RoHS compliant
Completely Pb free
Superior reliability

Potential Applications

Automotive applications
(Hybrid) electrical vehicles (H)EV

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