IPB009N03LGATMA1

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Description: N-CH 30V 180A 1mOhm TO263-3 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: IPB009N03L G Rutronik No.: TMOSP8652 Unité d'emballage: 1000 MOQ: 1000 Boitier: D2PAK Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: N-CH
V(DS): 30 V
I(D)at Tc=25°C: 180 A
RDS(on)at 10V: 0,95 mOhm
Q(g): 227 nC
P(tot): 250 W
R(thJC): 0,6 K/W
Logic level: YES
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Package: D2PAK
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

Référence fabricant: SP000394657
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: A
Délai de livraison standard: 67 Semaines

Description

With the new OptiMOS™3 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. Lowest on-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™3 30V the best choice for the demanding requirements of battery management, OR-ing, e-fuse and hot-swap application.

Summary of Features

Lowest on-state resistance
High DC and pulsed current capability
Easy to design-in

Benefits

Increased battery lifetime and system efficiency
Saving space (reducing the number of devices needed)
Saving costs

Target Applications

Or-ing in power supply
Hot-swap
e-fuse
Battery management

Quantité

Stock Info

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Composant obsolète

Ultime commande fabricant possible: 30.09.2022

Prix unitaire

1,88 $

Valeur totale

1.880,00 $

Prix

1.000	1,88 $
2.000	1,45 $

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