IPD135N03LGATMA1
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Description:
N-CH 30V 30A 11,3mOhm TO252-3
Fabricant:
INFINEON
Désignation Produit:
IPD135N03L G
Rutronik No.:
TMOSP9749
Unité d'emballage:
2500
MOQ:
2500
Boitier:
DPAK
Packaging:
REEL
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Datasheet / Notice
Ajouté à projet
Echantillon
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- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 30 V
- I(D)at Tc=25°C
- 30 A
- RDS(on)at 10V
- 11.3 mOhm
- Q(g)
- 4.8 nC
- P(tot)
- 31 W
- R(thJC)
- 4.9 K/W
- Logic level
- YES
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS3
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Package
- DPAK
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Packaging
- REEL
- Référence fabricant
- SP000796912
- ECCN
- EAR99
- Numéro du tarif douanier
- 85412900000
- Pays
- China
- Annuaire ABC
- B
- Délai de livraison standard
- 16 Semaines
With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package.
Summary of Features
- Ultra low gate and output charge
- Lowest on-state resistance in small footprint packages
- Easy to design in
Benefits
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete
- Saving costs
- Saving space
- Reducing power losses
Target Applications
- Onboard charger
- Notebook
- Mainboard
- DC-DC
- VRD/VRM
- Motor control
- LED
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