IPT60R125G7XTMA1

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Description: N-CH 650V 27A 125mOhm HSOF-8 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: IPT60R125G7 Rutronik No.: TMOS2276 Unité d'emballage: 2000 MOQ: 2000 Boitier: HSOF-8 Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: N-CH
V(DS): 650 V
I(D)at Tc=25°C: 27 A
RDS(on)at 10V: 108 mOhm
Q(g): 27 nC
P(tot): 120 W
R(thJC): 1.04 K/W
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS
Fast bodydiode: YES
Automotive: NO
Package: HSOF-8
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

Référence fabricant: SP001579334
ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: B
Délai de livraison standard: 19 Semaines

Description

Description:

Summary of Features

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Benefits

Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
Improved power density due to low R DS(on) in small footprint, by either replacing TO-packages (height restrictions) or paralleling SMD packages due to thermal or R DS(on) requirements
Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times

Target Applications

Telecom
Server
Solar
Industrial SMPS

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