SP001100622

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Description: N-CH 800V 1,9A 2800mOhm TO251-3 Fabricant: INFINEON Désignation Produit: IPU80R2K8CE Rutronik No.: TMOSP11339 Unité d'emballage: 75 MOQ: 1500 Boitier: TO-251 Packaging: TUBE

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: N-CH
V(DS): 800 V
I(D)at Tc=25°C: 1.9 A
RDS(on)at 10V: 2800 mOhm
Q(g): 12 nC
P(tot): 42 W
R(thJC): 3 K/W
Logic level: NO
Mounting: THT
Technology: CoolMOS CE
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Package: TO-251
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: TUBE

ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Malaysia
Annuaire ABC: C
Délai de livraison standard: 8 Semaines

Description

800V CoolMOS™ CE is Infineon’s high performance device family offering 800 Volts break down voltage. The CE targets Consumer Electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS™ family, Infineon combines long experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. Summary of Features

Low specific on-state resistance (R DS(on)*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V
Low gate charge (Q g)
Field-proven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

Benefits

High efficiency and power density
Outstanding price/performance
High reliability
Ease of use

Target Applications

LED Lighting

Quantité

Stock Info

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Composant obsolète

Ultime commande fabricant possible: 30.11.2016

Prix unitaire

0,308 $

Valeur totale

462,00 $

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		SP001593932 N-CH 800V 1,9A 2800mOhm TO251-3 N° d'article: TMOS1446 Boitier: TO-251 Packaging: TUBE	Prix unitaire 0,3548 $ Unité d'emballage 75	Stock Info 54 Semaines Composant obsolète	Prix, délais de livraison Trouver des alternatives Datasheet / Notice