BSM180D12P2E002
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Description:
SiC Power Module 180A 1200V
Fabricant:
ROHM
Désignation Produit:
BSM180D12P2E002
Rutronik No.:
TMOS2771
Unité d'emballage:
4
MOQ:
4
Boitier:
SICSTD02
Packaging:
BOX
Datasheet / Notice
Ajouté à projet
Echantillon
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- Configuration
- N-CH
- V(DSS)
- 1200 V
- I(D)at Tc=25°C
- 204 A
- Q(g)
- 1360 nC
- Material techn.
- SMD
- Technology
- DMOSFET
- Topology
- YES
- Automotive
- NO
- Package
- SICSTD02
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Packaging
- BOX
- ECCN
- EAR99
- Numéro du tarif douanier
- 85412900000
- Pays
- Japan
- Délai de livraison standard
- 32 Semaines
Silicon carbide Power Module - BSM180D12P2E002
This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM.
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