VS-3C10ET12S2L-M3

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Description: SiC-DIODE 1200V 10A 1.35V TO-263AB 2L Fabricant: VISHAY Désignation Produit: VS-3C10ET12S2L-M3 Rutronik No.: SIC1129 Unité d'emballage: 1 MOQ: 1 Boitier: TO-263AB 2 Packaging: TUBE

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

V(RRM): 1200 V
I(F)per diode: 10 A
I(FSM): 84 A
V(F): 1.35 V
Technology: Gen 3
Automotive: NO
Package: TO-263AB 2
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: TUBE
Configuration: Single
Mounting: SMD
T(j) max: 175 °C

Numéro du tarif douanier: 85411000000
Pays: China
Délai de livraison standard: 14 Semaines

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