VS-GT180DA120U

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Description: IGBT 1200V 180A 1,57A SOT-227 Fabricant: VISHAY Désignation Produit: VS-GT180DA120U Rutronik No.: IGBT2340 Unité d'emballage: 10 MOQ: 160 Boitier: SOT-227 Packaging: TUBE

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

V(CE): 1200 V
I(C): 281 A
V(CEsat): 1.57 V
Package: SOT-227
Bodydiode: NO
P(tot): 862 W
Automotive: NO
t(r): 59 nS
td(off): 334 nS
td(on): 192 nS
Mounting: SMD
RoHS Status: RoHS-conform
Technology: IGBT
Packaging: TUBE

ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: Philippines
Annuaire ABC: A
Délai de livraison standard: 14 Semaines

Description

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 180 A

FEATURES
- 1200 V trench and field stop technology
- Low switching losses
- Positive temperature coefficient

APPLICATIONS
- Designed for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, welding, induction heating
- Easy to assemble and parallel
- Direct mounting to heatsink

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