IKP30N65H5XKSA1
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Description:
IGBT 650V 30A 1,65V TO220-3
Fabricant:
INFINEON
Désignation Produit:
IKP30N65H5
Rutronik No.:
IGBT2279
Unité d'emballage:
500
MOQ:
500
Boitier:
TO-220
Packaging:
TUBE
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Datasheet / Notice
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Echantillon
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- V(CE)
- 650 V
- I(C)
- 30 A
- V(CEsat)
- 1.65 V
- Package
- TO-220
- Bodydiode
- YES
- P(tot)
- 93 W
- Automotive
- NO
- t(r)
- 9 nS
- td(off)
- 177 nS
- td(on)
- 19 nS
- Mounting
- THT
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Technology
- Trench
- Packaging
- TUBE
- Référence fabricant
- SP001133084
- ECCN
- EAR99
- Numéro du tarif douanier
- 85412900000
- Pays
- Malaysia
- Annuaire ABC
- B
- Délai de livraison standard
- 21 Semaines
High Speed 650 V, 30 A TRENCHSTOP™ 5 IGBT in a TO-220 package copacked with fast and soft RAPID 1 anti-parallel diode.
Summary of Features
- 650 V breakthrough voltage
- Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
- Factor 2.5 lower Qg
- Factor 2 reduction in switching losses
- 200mV reduction in VCEsat
- Co-packed with Rapid Si-diode technology
- Low COES/EOSS
- Mild positive temperature coefficient VCEsat
- Temperature stability of Vf
Benefits
- Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and
- case temperature leading to higher device reliability
- 50 V increase in the bus voltage possible without compromising
- reliability
- Higher power density design
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