SIR470DP-T1-GE3

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Description: N-CH MOSFET BWL 40V, 60A PPAK SO-8 Fabricant: VISHAY Désignation Produit: SIR470DP-T1-GE3 Rutronik No.: STDMOS1497 Unité d'emballage: 3000 MOQ: 3000 Boitier: PPAK SO-8 Packaging: REEL

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Datasheet / Notice Ajouté à projet Echantillon

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Paramètres

Configuration: N-CH
V(DS): 40 V
I(D)at Tc=25°C: 60 A
RDS(on)at 10V: 2.3 mOhm
Q(g): 45.5 nC
P(tot): 104 W
R(thJC): 1.2 K/W
Logic level: NO
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Package: PPAK SO-8
RoHS Status: RoHS-conform
Packaging: REEL

ECCN: EAR99
Numéro du tarif douanier: 85412900000
Pays: China
Annuaire ABC: B
Délai de livraison standard: 10 Semaines

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